2019年ISPSD青年研究员获奖论文采用了GaN Power GaN Sense场效应晶体管

2019日5月19日至23日在上海举行的2019届青年研究员奖颁奖典礼 2019 ISPSD Charitat Young Researcher Award上来自智能电源集成与半导体器件研究集团的张维佳女士获得了多伦多大学2019届ISPSD CARITAT青年研究员奖，GaNPower国际公司表示热烈祝贺向她表示热烈的祝贺。GaNPower的单片GaN 敏感场效应晶体管引用于她的获奖论文当中，标题为“具有精确死区时间校正的增强型GaN功率晶体管栅极驱动集成电路”。

GaN 敏感场效应晶体管的额定电压为100V/20Ohm，传感门和传感源有两条额外的引线。传感源的电流设计具有较小的匹配比，同时为传感元提供精确的传感。然而，本文的新颖之处在于在电压箝位电路中使用敏感场效应管来检测e型GaN低压侧输出器件的反向导通，同时保护检测电路不受开关节点处的高压摆动的影响。然后，通过调整下一个开关周期中的死区时间来校正反向导通的持续时间，以确保最佳功率转换效率。

封装前的裸模如下图所示。GaN 敏感场效应晶体管顺利地封装在8×8 8引线DFN中，在张女士的演示板中，PCB的实现显示在标题中的一张照片上。

如果需要关于GaNPower敏感场效应管的可用性和详细规格，请联系@iganpower.com。

 GaNPower国际公司简介

GanPower International Inc是一家加拿大联邦公司，总部位于加拿大温哥华，专注于开发电力电子中基于氮化镓（GaN）的技术。作为一家无厂设计公司，它在世界各地拥有多家子公司和成熟的制造合作伙伴。其创始人和管理团队认为，可持续发展的未来需要负责任的能源转换解决方案，而基于GaN材料的电力电子技术是这一解决方案的关键。公司的使命是为更绿色的未来提供世界级的GaN器件、GaN基功率集成电路和GaN相关电源系统解决方案产品。

多伦多大学智能电源集成集团与半导体器件研究小组简介

由吴伟东教授领导的多伦多大学智能电源集成与半导体器件研究小组是为数不多的在智能 PIC 技术的各个领域拥有世界领先水平的学术研究小组之一。其中包括 UMOS 和 ED MOS 晶体管的开发， CMOS 兼容的高压制造工艺，集成DC-DC转换器，集成 D 类功率放大器，显示背光单元和运动控制电路的开发。该小组目前的工作是主要针对便携式消费电子产品，电信电子产品和汽车应用。