1200V E型GaN高迁移率晶体管（HEMT）的重大突破

GaNPower国际公司（GPI）宣布在氮化镓（GaN）电力电子领域取得重大技术突破。

GPI已经成功地设计并制作出了首款商用E型GaN高迁移率晶体管（HEMT），额定击穿电压为1200V。如图1和图2所示，晶圆上测试支持了我们的突破，发现典型的阈值电压约为1.4V。

 GaNPower 国际公司简介

GanPower International Inc是一家加拿大联邦公司，总部位于加拿大温哥华，专注于开发电力电子中基于氮化镓（GaN）的技术。作为一家无晶圆厂设计公司，它在世界各地拥有多家子公司和成熟的制造合作伙伴。其创始人和管理团队认为，可持续发展的未来需要负责任的能源转换解决方案，而基于GaN材料的电力电子技术是这一解决方案的关键。

GPI创建团队在半导体器件、电力电子系统和电力集成电路设计方面拥有100多年的综合经验。公司的使命是为更绿色的未来提供世界级的GaN器件、GaN基功率集成电路和GaN相关电源系统解决方案产品。

美的集团简介

美的集团是一家中国电器制造商，总部位于广东佛山顺德北郊。截至2013年，该公司在中国和海外拥有约100000名员工，遍布200个国家的21家制造厂和260个物流中心。美的集团自2013年起在深圳证券交易所上市。自2016年7月以来，该公司已被列入《财富》全球500强。美的生产范围广泛的照明、水设备、地板护理、小型厨房设备、洗衣房、大型烹饪设备和制冷设备。它在生产家用和商用空调和供暖（HVAC）方面也有着悠久的历史。2016年夏天，美的做出了一项宣传收购德国机器人公司KUKA的行动，它是世界上最大的机器人和电器生产商。