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8月
DFN8x8封装中的1200V GaNFET
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GaNPower International Inc宣布在工程采样阶段，第一款DFN8x8格式的1200V EMODE单芯片GaNFET的发布。新产品（代码GPIHV30DFN）的特点是在65mOhm导通电阻下具有低Qg*Rds，S-D爬电为2.8mm，适合在800V左右切换，为BV留下足够的安全界限。 更多详情见数据表 datasheet. GaNPower国际公司简介 GanPower International Inc是一家加拿大联邦公司，总部位于加拿大温哥华，专注于开发电力电子中基于氮化镓（GaN）的技术。作为一家无厂设计公司，它在世界各地拥有多家子公司和成熟的制造合作伙伴。其创始人和管理团队认为，可持续发展的未来需要负责任的能源转换解决方案，而基于GaN材料的电力电子技术是这一解决方案的关键。公司的使命是为更绿色的未来提供世界级的GaN器件、GaN基功率集成电路和GaN相关电源系统解决方案产品。 ...
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