驱动 ICs
为了提高性能，我们不能简单地用新的GaN HEMTs直接替换旧的硅功率器件。氮化镓功率器件需要不同的驱动方式。
目前，GaNPower公司的E-mode HEMT器件的最大门驱动电压为7V，推荐门极驱动电压为6V。除非使用集成驱动器+HEMT的芯片，否则应该使用专用的栅极驱动器。
对于半桥和非隔离低端应用，有许多商业上可用的驱动器:
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- TI: LM5114:单个7.6A峰值电流低侧栅驱动器
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- TI: UCC27611:5V, 4A/6A低侧GaN驱动
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- Maxim: MAX5048C:7A Sink/3A源电流，8ns, SOT23, MOSFET驱动
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- Fairchild: FAN3122:单9-A高速低侧栅驱动
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- Silicon Lab: Si827X:4Amp高瞬态(dV/dt)的ISOdriver
- 等等… …
集成门驱动器
GaN HEMT具有很高的开关速度，如果寄生电感如共源电感没有得到适当的抑制，不可避免地会产生振铃现象。减少寄生的最佳方法是与氮化镓器件采用单片集成驱动或与氮化镓共封装硅驱动。
GaNPower国际提供单片集成解决方案以及硅驱动芯片+ GaN HEMT合封。更多信息可以在产品页面中获得。
