30
7月
硅驱动器和GaN芯片封装
in Trends
Comments
GaNPower 国际公司（GPI）很宣布：“作为GPI及其全球研究合作伙伴共同研发成果的新产品GPI65030CO成功的发布了，这是一种与硅基栅极驱动IC封装在一起的GaN功率晶体管。
该封装集成电路模块的特点是一个E型GaN主功率晶体管，额定电压为650V和30A（59 mOhm）。硅基驱动器IC是一种低侧栅极驱动器，其传输延迟时间约为17ns，上升/下降时间分别为5ns和3ns。封装在一个6x8mm的小型DFN 中，功率IC模块结合了两个领域的优点：GaN技术的高性能和硅BCD技术的成熟性。该模块可在大约1MHz的频率下进行高频电源切换，并且该产品的价格也相当具有竞争力，其应用包括云服务器电源、电动汽车车载充电器和智能电源模块（IPM）。
更多详情可以从我们的数据表中获得 [GPI65030CO], 以下是一些测试结果和模块的照片。