可再生清洁能源代表了我们为子孙后代创造更绿色未来的承诺
所有类型的能源在被人类使用之前都需要转换成电能
氮化镓HEMT器件被设计用来取代硅功率器件,以提高效能、降低能量转换损耗
氮化镓材料的临界场强是硅的10倍,在相同的电压额定值下,可以实现更低的通态电阻
高开关速率使得电力电子系统设计者能够减少无源元件的总体积,从而大大提高功率密度
GaN材料优异的热性能可以降低甚至完全没有热沉,从而进一步减小器件的尺寸和重量
硅衬底的氮化镓HEMT器件能够使用现有的硅器件加工设备进行生产,从而降低它的制造成本;和传统的硅器件相比,单个氮化镓HEMT器件所产生的单位排放更小,从而在不久的将来使单个器件的成本比硅器件更低