GaN高压单片电源集成电路的发布

GaNPower国际公司宣布：它已经成功地设计了第一个单片GaN FET集成门驱动器。电源IC的额定电压为650V，带有额定电阻为0.18mOhm，工程样品以SOP8（5×8）的封装形式提供，同一集成电路传输到DFN5x6上是为了更好的热性能。 一些简短的数据点击这里可以查到（ here）

GaNPower国际公司简介

GanPower International Inc是一家加拿大联邦公司，总部位于加拿大温哥华，专注于开发电力电子中基于氮化镓（GaN）的技术。作为一家无晶圆厂设计公司，它在世界各地拥有多家子公司和成熟的制造合作伙伴。其创始人和管理团队认为，可持续发展的未来需要负责任的能源转换解决方案，而基于GaN材料的电力电子技术是这一解决方案的关键。公司的使命是为更绿色的未来提供世界级的GaN器件、GaN基功率集成电路和GaN相关电源系统解决方案产品。