GaNPower展示了业界首款1200V单芯片 E型GaN功率器件
新的 1200V GaNFET功率开关能力在800V下得到验证
GaN Power International是氮化镓（GaN）器件技术，是基于GaN的电力电子系统的行业领导者。2021年9月，在高压GaN功率器件的发展方面取得了的里程碑性的进展。在2018年推出第一个横向EMODE GaN功率晶体管(*)后，它最近在双脉冲测试板上展示了7~8A@800V的功率开关能力。对应1200V GaNFET 的型号是GPIHV30DFN和GPIHV30SB5L，这两款器件分别以DFN和TO263-5格式封装。这意味着，这些设备适用于构建电动汽车车载充电器和电动汽车电机驱动器的功率转换器。这类汽车系统的直流母线电压约为700-800V，需要额定电压为1200V的电源开关。目前，一种流行的解决方案是使用特斯拉首创的1200V SiC开关。1200V GaN具有优异的约500 毫欧的开态电阻（越小越好），约为市场上大多数SiC器件的1/10。由于硅基GaN（6英寸或8英寸硅）正在大规模生产，并且在电力输送/移动快速充电器中使用成功, 导致GaNFET价格快速下降，因此在汽车应用中，1200V GaNFET替代SiC MOSFET的潜力似乎越来越大。
(*) 相关美国专利: US 10,388,743B2; US 10,615,094B2; US 10,892,254B2; US11,107,755B2
可利用性
GaNPower International 正在向选定的客户提供其 1200V EMODE GaN FETs。GPIHV30SB5L的封装形式为TO263-5 (65mOhm) , GPIHV30DFN (65mOhm) 的封装形式为DFN. 申请样品可发送至 information@iganpower.com
关于 GanPower International Inc
GanPower International Inc是一家私人控股的加拿大联邦公司，总部位于加拿大温哥华，专注于开发基于氮化镓（GaN）的电力电子技术。它是由一群专业人士建立的，他们认为可持续的未来需要一个负责的能量转换解决方案，而基于GaN材料的电力电子技术是这一解决方案的关键。公司的使命是为更绿色的未来提供世界级的GaN器件、GaN基功率IC和GaN相关电源系统解决方案产品。
