FAQ

GaNPower GaN HEMTs Applications FAQ

在哪里可以买到你们的产品?

目前,GaNPower的GaN HEMT设备可以通过联系我们shidan@iganpower.cn进行购买。

硅MOSFET或IGBT可以做脚对脚替换吗?

简单来说不可以。GaN HEMT功率器件远优于最好的硅器件如超级结MOSFET。但是,由于栅极驱动电压不同及极高的dv/dt变化率,建议采用特殊的驱动和优化的PCB布局,以最大限度地减少电路寄生的影响。某些包装形式,如GaNPower的DFN包装设备提供了源终端的感觉和力量。此外,对于传统的TO220封装,请注意引脚被安排为门-源-漏(G-S-D),热垫连接到源极而不是漏极。

氮化镓电源设备的性能可靠吗?

GaNPower的HEMTs已经被很多供应商、用户和测试部门检测为可靠的硅替代产品。

GaN功率器件与SiC相比如何选择?

目前GaN功率HEMT器件最适用于中低电压(900V)和功率(20KW)的应用。GaN是高频应用的理想选择。而碳化硅器件是高电压(900V)和高功率(20KW)应用的最佳选择。

我们是否需要并行FRD的应用,如逆变器?

GaN器件不同于硅MOSFET或IGBT,他们没有内在的PN结二极管导致反向恢复问题。而用户也无需为了抑制体二极管的反向恢复效果来并行FRD,因为GaN HEMT是可以在第一和第三象限操作的。然而,由于GaN HEMT的源-漏极电压通常接近2V,因此需要注意死区时间的功率损失。尤其是当需要加一个负栅极电压时。