APEC22会议上发布的关于高压GaN电表新应用的说明

镓能国际（GPI）3月20日至24日在德克萨斯州休斯顿举行的应用电力电子会议（APEC）。参加展览（1839号展位）。

我们利用APEC22发布一个新的appnote（链接到appnote）用于小型电表的高压GaN。做为高压单芯片emode GaNFET的先驱，小型电表应用的能效超过90%。

我们开发了一种高效（89%-95%）的辅助电源演示PCBA，从250 VDC到1200VDC的宽输入范围，可以提供稳定的5-12V输出电压，输出功率15-36W。
凭借高效的二极管电桥，我们的设计可用于以极低的功率损耗为三相200-800VAC输入的各种高压电表供电。量芯微

我们的EVB使用一级准谐振反激控制器、二级同步整流控制器和镓能国际的GPIHV15DFN 1200V GaN HEMT
GPI GaN HEMT具有极低的栅极电荷（4nC）和低的导通电阻（100mO），开关损耗显著降低，电路板的应用效率高达95%。