APEC22会议上发布的关于高压GaN电表新应用的说明

APEC22会议上发布的关于高压GaN电表新应用的说明

镓能国际(GPI)3月20日至24日在德克萨斯州休斯顿举行的应用电力电子会议(APEC)。参加展览(1839号展位)。

我们利用APEC22发布一个新的appnote(链接到appnote)用于小型电表的高压GaN。做为高压单芯片emode GaNFET的先驱,小型电表应用的能效超过90%。

我们开发了一种高效(89%-95%)的辅助电源演示PCBA,从250 VDC到1200VDC的宽输入范围,可以提供稳定的5-12V输出电压,输出功率15-36W。
凭借高效的二极管电桥,我们的设计可用于以极低的功率损耗为三相200-800VAC输入的各种高压电表供电。

我们的EVB使用一级准谐振反激控制器、二级同步整流控制器和镓能国际的GPIHV15DFN 1200V GaN HEMT
GPI GaN HEMT具有极低的栅极电荷(4nC)和低的导通电阻(100mO),开关损耗显著降低,电路板的应用效率高达95%。

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